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エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第2484位 8件
（
2010年：第2670位 8件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第1455位 16件
（2010年：第2005位 9件）
（ランキング更新日：2025年8月7日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4846363 | 薄層除去後のバッファ層を有するウエハの再利用 | 2011年12月28日 | |
| 特許 4818618 | 基板上に半導体材料を備えた構造体の製造 | 2011年11月16日 | |
| 特許 4813019 | 基板の層を切断するための装置及び方法 | 2011年11月 9日 | |
| 特許 4782107 | チップおよび関連する支持体を製作する方法 | 2011年 9月28日 | |
| 特許 4772501 | 縁部を有する多層ウェハの急速熱アニール方法 | 2011年 9月14日 | |
| 特許 4762547 | 多層構造の製造方法 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4757444 | 基板層切断装置及び方法 | 2011年 8月24日 | |
| 特許 4745249 | 決定可能な熱膨張係数を有する基板 | 2011年 8月10日 | |
| 特許 4740590 | 層転写方法 | 2011年 8月 3日 | 共同出願 |
| 特許 4739213 | ボンディング層が消滅する間接ボンディング | 2011年 8月 3日 | |
| 特許 4708185 | 特に光学、電子工学、または光電子工学における基板を製造する方法 | 2011年 6月22日 | |
| 特許 4694372 | ウェハの表面粗さを改善する方法 | 2011年 6月 8日 | |
| 特許 4684650 | 薄層を形成する方法、犠牲酸化によって厚みを補正するステップを含む方法、及び関連する機械 | 2011年 5月18日 | |
| 特許 4672648 | 有用層の転写を含む、マイクロ電子、光電子、もしくは光学用の基板又は基板上の部品を製造する方法 | 2011年 4月20日 | |
| 特許 4652053 | 支持基板へ転送される有用な材料層の面積を増加させる方法 | 2011年 3月16日 |
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4846363 4818618 4813019 4782107 4772501 4762547 4757444 4745249 4740590 4739213 4708185 4694372 4684650 4672648 4652053
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