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エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第32063位 0件
（
2011年：第2484位 8件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第2955位 6件
（2011年：第1455位 16件）
（ランキング更新日：2025年8月7日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4855254 | 両面を有するドナーウェハから半導体材料の薄層を形成するための方法 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4855245 | 多層ウェハのリングの予防処理方法 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4855015 | 二枚のウエハを結合する前の熱処理 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4854958 | 仮支持部材除去を伴う基板の製造方法並びにそのための基板 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4854925 | 分離可能な半導体組立体の調整方法、とくにエレクトロニクスおよびオプティクス用の基板を形成するための方法 | 2012年 1月18日 | |
| 特許 4854921 | 異物種を含有するドナーウエハを転写することによる基板の製造方法および関連するドナーウエハ | 2012年 1月18日 | 共同出願 |
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4855254 4855245 4855015 4854958 4854925 4854921
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