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サンディスクスリーディー，エルエルシー

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サンディスクスリーディー，エルエルシーの商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日
特表 2011-527834	炭素系抵抗率スイッチング材料およびその形成方法	2011年11月 4日
特表 2011-527832	不揮発性メモリデバイスを製作する方法	2011年11月 4日
特表 2011-527115	ポジティブフォトレジストを使用するダブルパターニングにより高密度柱構造を製造する方法	2011年10月20日
特表 2011-527114	三角形二次元相補的柱パターニング	2011年10月20日
特表 2011-526403	不揮発性記憶用の短いリセットパルス	2011年10月 6日
特表 2011-526402	不揮発性記憶を書込むための容量性放電方法	2011年10月 6日
特表 2011-526401	不揮発性記憶における同時書込みと検証	2011年10月 6日
特表 2011-526400	不揮発性記憶の電流制限を用いたリバースセット	2011年10月 6日
特表 2011-524091	電気的に絶縁された支柱のダイオードのための共有ダイオード要素部を有するレール積層体を備えた不揮発性メモリアレイ	2011年 8月25日
特表 2011-521455	カーボンナノフィルム可逆抵抗スイッチング素子およびその形成方法	2011年 7月21日
特表 2011-520249	不揮発性メモリに使用されるカーボンナノチューブ膜をエッチングする方法	2011年 7月14日
特表 2011-517857	選択的に製造されたカーボンナノチューブ可逆抵抗スイッチング素子を使用したメモリセルおよびその形成方法	2011年 6月16日
特表 2011-517856	炭素系メモリ素子を含むメモリセルおよびその形成方法	2011年 6月16日
特表 2011-517855	側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル	2011年 6月16日
特表 2011-517364	炭素または窒素をドープされたダイオードを備える不揮発性メモリ素子およびその製造方法	2011年 6月 2日

24 件中 1-15 件を表示

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2011-527834 2011-527832 2011-527115 2011-527114 2011-526403 2011-526402 2011-526401 2011-526400 2011-524091 2011-521455 2011-520249 2011-517857 2011-517856 2011-517855 2011-517364

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