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サンディスク スリーディー，エルエルシー
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第1400位 18件
（
2011年：第1094位 24件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第3300位 5件
（
2011年：第24706位 0件）
（ランキング更新日：2024年10月10日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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サンディスク スリーディー，エルエルシーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2012-533885 | 犠牲材を使用してダマシンダイオードを作る方法 | 2012年12月27日 | |
| 特表 2012-532450 | 丸いコーナーを有する複数の柱を備えるクロスポイント形不揮発性メモリ装置およびその製造方法 | 2012年12月13日 | |
| 特表 2012-531004 | 可逆抵抗切替素子の書き込み | 2012年12月 6日 | |
| 特開 2012-212902 | 側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル | 2012年11月 1日 | |
| 特表 2012-524362 | データ線切り替えスキームを備えるメモリシステム | 2012年10月11日 | |
| 特表 2012-523647 | 垂直ビット線を有する再プログラミング可能な不揮発性メモリ素子の３次元アレイ | 2012年10月 4日 | |
| 特表 2012-523648 | 垂直ビット線および二重グローバルビット線アーキテクチャを有する再プログラミング可能な不揮発性メモリ素子の３次元アレイ | 2012年10月 4日 | |
| 特表 2012-523649 | 垂直ビット線および片側ワード線アーキテクチャを有する再プログラミング可能な不揮発性メモリ素子の３次元アレイ | 2012年10月 4日 | |
| 特表 2012-523062 | ダミー抵抗、抵抗スイッチング素子及びダイオードを有するマルチビット抵抗スイッチング・メモリセルへの書き込み | 2012年 9月27日 | |
| 特表 2012-523061 | ダイオードを有するクロスポイント不揮発性メモリセルの書き込み方法 | 2012年 9月27日 | |
| 特表 2012-523063 | 他の素子からの電流を使用する不揮発性記憶素子のプログラミング | 2012年 9月27日 | |
| 特表 2012-514339 | 柱状構造のためのレジストフィーチャおよび除去可能スペーサピッチを倍増するパターニング法 | 2012年 6月21日 | |
| 特表 2012-507150 | 低減された層間剥離特性を示す炭素系メモリ素子およびその形成方法 | 2012年 3月22日 | |
| 特表 2012-507070 | データをメモリ装置に再入力することなくページをプログラムするためのページバッファプログラムコマンド及び方法 | 2012年 3月22日 | |
| 特表 2012-504840 | 不揮発性メモリの連続的なプログラミング | 2012年 2月23日 |
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2012-533885 2012-532450 2012-531004 2012-212902 2012-524362 2012-523647 2012-523648 2012-523649 2012-523062 2012-523061 2012-523063 2012-514339 2012-507150 2012-507070 2012-504840
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10月21日(月) -
日常実務の疑問点に答える著作権 （周辺領域の商標・不正競争防止法を含む）に関するQ&A ～日常業務において、判断に迷う・知らずして間違いを犯しがちなケースを取り上げて、Ｑ＆Ａ形式で平易に解説～
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