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2011年:第2749位 7件)
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| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5093987 | 半導体ウェーハホルダ用垂直軸及び支持構造間の回転滑り防止装置及び方法 | 2012年12月12日 | |
| 特許 5073751 | 前駆体送出システム | 2012年11月14日 | |
| 特許 5005170 | 超高品質シリコン含有化合物層の形成方法 | 2012年 8月22日 | |
| 特許 4982355 | ゲルマニウム膜の形成方法 | 2012年 7月25日 | |
| 特許 4959333 | 化学的不活性化を通じたリアクタ表面のパシベーション | 2012年 6月20日 | |
| 特許 4951202 | シリコンオンインシュレータ構造の製造方法 | 2012年 6月13日 | |
| 特許 4951625 | シリコン表面の調製 | 2012年 6月13日 | |
| 特許 4934595 | 薄膜成長用反応装置 | 2012年 5月16日 | |
| 特許 4866534 | 半導体膜の改良された堆積方法 | 2012年 2月 1日 | |
| 特許 4851647 | 酸化層及びシリコン層のインサイチュウ成長 | 2012年 1月11日 |
10 件中 1-10 件を表示
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5093987 5073751 5005170 4982355 4959333 4951202 4951625 4934595 4866534 4851647
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