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財団法人高知県産業振興センター
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第32063位 0件
（
2011年：第33195位 0件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第1614位 15件
（2011年：第3746位 4件）
（ランキング更新日：2024年12月24日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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財団法人高知県産業振興センターの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5099739 | 薄膜トランジスタ及びその製法 | 2012年12月19日 | 共同出願 |
| 特許 5099740 | 薄膜トランジスタ | 2012年12月19日 | 共同出願 |
| 特許 5043499 | 電子素子及び電子素子の製造方法 | 2012年10月10日 | 共同出願 |
| 特許 5015470 | 薄膜トランジスタ及びその製法 | 2012年 8月29日 | 共同出願 |
| 特許 5015471 | 薄膜トランジスタ及びその製法 | 2012年 8月29日 | 共同出願 |
| 特許 5015472 | 薄膜トランジスタ及びその製法 | 2012年 8月29日 | 共同出願 |
| 特許 5015473 | 薄膜トランジスタアレイ及びその製法 | 2012年 8月29日 | 共同出願 |
| 特許 5015534 | 絶縁膜の成膜方法 | 2012年 8月29日 | 共同出願 |
| 特許 4995006 | 被測定膜のヤング率、応力およびひずみの測定方法 | 2012年 8月 8日 | 共同出願 |
| 特許 4988535 | プラズマＣＶＤ装置及び成膜方法 | 2012年 8月 1日 | 共同出願 |
| 特許 4958253 | 薄膜トランジスタ | 2012年 6月20日 | 共同出願 |
| 特許 4928464 | 薄膜トランジスタ及びその製法 | 2012年 5月 9日 | 共同出願 |
| 特許 4870404 | 薄膜トランジスタの製法 | 2012年 2月 8日 | 共同出願 |
| 特許 4873528 | 薄膜トランジスタの製造方法 | 2012年 2月 8日 | 共同出願 |
| 特許 4870403 | 薄膜トランジスタの製法 | 2012年 2月 8日 | 共同出願 |
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5099739 5099740 5043499 5015470 5015471 5015472 5015473 5015534 4995006 4988535 4958253 4928464 4870404 4873528 4870403
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