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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第33195位 0件 (2010年:第13109位 1件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第1010位 26件 (2010年:第2174位 8件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 4844893 | 半導体ウエハを静電チャックにクランプさせるためのシステムと方法 | 2011年12月28日 | |
特許 4840607 | ばねと釣合重りを用いて往復回転運動を行うウエハ走査システム | 2011年12月21日 | |
特許 4831419 | イオン注入システムにおいてプラズマを発生させるための薄膜形成用マグネトロン構造 | 2011年12月 7日 | |
特許 4793528 | プラズマ処理装置及びガス分散プレート | 2011年10月12日 | |
特許 4793696 | イオン注入システムにおいて引き出されたイオンビームの選択的プレディスパージョンのための方法及び装置 | 2011年10月12日 | |
特許 4788917 | プラズマアッシング装置及び終了点検出プロセス | 2011年10月 5日 | |
特許 4784851 | 集積回路の製造中に光学的に蓄積電荷を消去する方法及び装置 | 2011年10月 5日 | |
特許 4784872 | ワークピースをスキャンするための往復駆動装置 | 2011年10月 5日 | |
特許 4780411 | プラズマ処理装置および処理方法 | 2011年 9月28日 | |
特許 4780410 | 抵抗層、マイクロ溝及び誘電体層を含む高機能静電クランプ | 2011年 9月28日 | |
特許 4775685 | リアルタイムエッチング速度を決定するための、浅い角度での干渉方法及び装置 | 2011年 9月21日 | |
特許 4771226 | 圧力制御された熱源及びRTP用処理を用いるための方法 | 2011年 9月14日 | |
特許 4736007 | 半導体ウエハの放射率決定方法およびその装置 | 2011年 7月27日 | |
特許 4725740 | MEMS静電チャックの製造方法 | 2011年 7月13日 | |
特許 4725873 | ウエハ処理システム及びウエハ処理工程を監視する方法 | 2011年 7月13日 |
26 件中 1-15 件を表示
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4844893 4840607 4831419 4793528 4793696 4788917 4784851 4784872 4780411 4780410 4775685 4771226 4736007 4725740 4725873
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10月21日(月) -
日常実務の疑問点に答える著作権 (周辺領域の商標・不正競争防止法を含む)に関するQ&A ~日常業務において、判断に迷う・知らずして間違いを犯しがちなケースを取り上げて、Q&A形式で平易に解説~
10月22日(火) - 東京 港
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