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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第114位 406件
(2011年:第79位 513件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第79位 478件
(2011年:第88位 379件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-52282 | 炭素繊維の凝集体 | 2012年 3月15日 | |
特開 2012-51795 | SiCエピタキシャルウェハ | 2012年 3月15日 | |
特開 2012-51743 | ウェーハ、半導体発光素子用テンプレート基板の製造方法、半導体発光素子基板の製造方法、半導体発光素子用テンプレート基板、半導体発光素子基板及びレジスト塗布方法 | 2012年 3月15日 | |
特開 2012-53938 | 磁気記録媒体の製造方法 | 2012年 3月15日 | |
特開 2012-53937 | 磁気記録媒体の製造方法 | 2012年 3月15日 | |
特開 2012-54574 | コンデンサ用ニオブ、及び該ニオブ焼結体を用いたコンデンサ | 2012年 3月15日 | |
特開 2012-54292 | ウェーハ、半導体発光素子用テンプレート基板の製造方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子基板の製造方法、半導体発光素子用テンプレート基板、半導体発光素子基板及びレジスト塗布方法 | 2012年 3月15日 | |
特開 2012-53949 | 円盤状基板の製造方法 | 2012年 3月15日 | 共同出願 |
特開 2012-53948 | 円盤状基板の製造方法および研磨液供給装置 | 2012年 3月15日 | 共同出願 |
特開 2012-51072 | 円盤状基板の製造方法 | 2012年 3月15日 | 共同出願 |
特開 2012-51071 | 円盤状基板の製造方法 | 2012年 3月15日 | 共同出願 |
再表 2010-41658 | 炭窒化物混合物粒子または炭窒酸化物混合物粒子の製造方法及びその用途 | 2012年 3月 8日 | |
再表 2010-41655 | 触媒およびその製造方法ならびにその用途 | 2012年 3月 8日 | |
再表 2010-41650 | 触媒およびその製造方法ならびにその用途 | 2012年 3月 8日 | |
再表 2010-41639 | 触媒およびその製造方法ならびにその用途 | 2012年 3月 8日 |
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2012-52282 2012-51795 2012-51743 2012-53938 2012-53937 2012-54574 2012-54292 2012-53949 2012-53948 2012-51072 2012-51071 2010-41658 2010-41655 2010-41650 2010-41639
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