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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第190位 258件 (2012年:第114位 406件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第125位 332件 (2012年:第79位 478件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5273741 | エピタキシャルSiC単結晶基板及びエピタキシャルSiC単結晶基板の製造方法 | 2013年 8月28日 | 共同出願 |
特許 5276133 | アルミニウム合金鋳塊の製造方法 | 2013年 8月28日 | |
特許 5274781 | R−T−B系合金及びR−T−B系合金の製造方法、R−T−B系希土類永久磁石用微粉、R−T−B系希土類永久磁石 | 2013年 8月28日 | |
特許 5274454 | エーテル結合を有するエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物の製造方法 | 2013年 8月28日 | |
特許 5274449 | 1,2,3,4−テトラクロロヘキサフルオロブタンの製造方法および精製方法 | 2013年 8月28日 | |
特許 5275321 | アルミ合金製塑性加工品の製造方法 | 2013年 8月28日 | |
特許 5276852 | III族窒化物半導体エピタキシャル基板の製造方法 | 2013年 8月28日 | |
特許 5276990 | 発光装置および面発光装置 | 2013年 8月28日 | |
特許 5276945 | 表示装置及び発光装置 | 2013年 8月28日 | |
特許 5275140 | 照明装置及び発光装置 | 2013年 8月28日 | |
特許 5275772 | 感光ドラム基体用アルミニウム管のアノード電解による表面処理方法 | 2013年 8月28日 | |
特許 5277136 | 発光ダイオード素子、発光ダイオードランプおよび照明装置 | 2013年 8月28日 | |
特許 5276959 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ | 2013年 8月28日 | |
特許 5274426 | 液冷式冷却装置 | 2013年 8月28日 | |
特許 5269693 | 磁気記録媒体 | 2013年 8月21日 |
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5273741 5276133 5274781 5274454 5274449 5275321 5276852 5276990 5276945 5275140 5275772 5277136 5276959 5274426 5269693
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11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
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11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
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11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月26日(火) -
12月2日(月) - 滋賀 草津市
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12月4日(水) - 東京 千代田区
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12月5日(木) -
12月5日(木) -
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12月6日(金) -
12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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12月2日(月) - 滋賀 草津市
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