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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第252位 169件
(2013年:第216位 227件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第209位 194件
(2013年:第243位 163件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2014-505996 | UVチャンバ内におけるウエハ処理プロファイルを調節する方法および装置 | 2014年 3月 6日 | |
特開 2014-42056 | 極紫外線(EUV)フォトマスクのエッチング方法 | 2014年 3月 6日 | |
特開 2014-42060 | 基板を処理する方法及び装置及びそれらのためのセラミック組成物 | 2014年 3月 6日 | |
特表 2014-505363 | マイクロ波プラズマを用いた薄膜堆積 | 2014年 2月27日 | |
特表 2014-505356 | 耐集積損傷性を改善するインシトゥ低誘電率キャッピング | 2014年 2月27日 | |
特開 2014-39050 | パルス化したサンプルバイアスを用いる、半導体構造をエッチングするためのパルス化プラズマシステム | 2014年 2月27日 | |
特表 2014-504041 | 多数の光ヘッドからのスペクトルの収集 | 2014年 2月13日 | |
特表 2014-503611 | チャンバコンポーネントを接合するために使用される接着材料 | 2014年 2月13日 | |
特表 2014-503991 | 接着層の厚さを減少させ、薄い超低誘電率誘電体フィルムの耐損傷性を改良する方法 | 2014年 2月13日 | |
特開 2014-27294 | シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積 | 2014年 2月 6日 | |
特開 2014-13905 | 基板上に酸化ケイ素層を形成する方法 | 2014年 1月23日 | |
特表 2014-502038 | 薄膜電極および薄膜スタックを堆積させる方法 | 2014年 1月23日 | |
特開 2014-13899 | フォトマスクプラズマエッチングの為の方法および装置 | 2014年 1月23日 | |
特表 2014-501455 | 圧力制御された研磨プラテン | 2014年 1月20日 | |
特表 2014-501030 | ロードロックチャンバ、基板処理システム、および通気方法 | 2014年 1月16日 |
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2014-505996 2014-42056 2014-42060 2014-505363 2014-505356 2014-39050 2014-504041 2014-503611 2014-503991 2014-27294 2014-13905 2014-502038 2014-13899 2014-501455 2014-501030
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7月25日(金) - 大阪 大阪市
7月25日(金) - 東京 立川市
【特許のはなし・生成系AIのリスクのはなし】~特許の使い方・使える特許の作り方と、生成系AIを業務で使う場合のリスクと対応策について~
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