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株式会社半導体エネルギー研究所
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第41位 890件
（
2010年：第95位 498件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第45位 658件
（2010年：第55位 464件）
（ランキング更新日：2024年12月2日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社半導体エネルギー研究所の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4646894 | 半導体装置の作製方法 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許 4646702 | 照明装置及びその作製方法 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許 4646531 | 薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに前記薄膜トランジスタを用いた電子機器 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許 4646460 | 半導体装置の作製方法 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許 4646343 | 半導体装置の作製方法 | 2011年 3月 9日 | |
| 特許 4641938 | 有機無機ハイブリッド材料、キャリア注入型エレクトロルミネッセント素子、真性エレクトロルミネッセント素子、発光装置、及びガラス製品 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642831 | 液晶表示装置及び電子機器 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4641586 | 半導体装置の作製方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642094 | 発光装置及び電子機器 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4641710 | 表示装置 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4641707 | 表示装置 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4642130 | ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4641717 | 半導体装置の評価方法及び素子基板 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4641598 | 半導体装置の作製方法 | 2011年 3月 2日 | |
| 特許 4641582 | 半導体装置の作製方法 | 2011年 3月 2日 |
658 件中 556-570 件を表示
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4646894 4646702 4646531 4646460 4646343 4641938 4642831 4641586 4642094 4641710 4641707 4642130 4641717 4641598 4641582
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12月10日(火) - 東京 港区
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