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株式会社半導体エネルギー研究所
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第41位 890件
（
2010年：第95位 498件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第45位 658件
（2010年：第55位 464件）
（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社半導体エネルギー研究所の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4831889 | 表示装置 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4831892 | 半導体装置 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4832185 | 半導体装置の作製方法 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4831895 | 半導体装置 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4832566 | 半導体膜の作製方法 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4831885 | 半導体装置の作製方法 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4831874 | 発光装置及び電子機器 | 2011年12月 7日 | |
| 特許 4827466 | 発光装置、照明装置 | 2011年11月30日 | |
| 特許 4824521 | 照明装置 | 2011年11月30日 | |
| 特許 4827324 | 半導体装置の作製方法 | 2011年11月30日 | |
| 特許 4827325 | 半導体装置の作製方法 | 2011年11月30日 | |
| 特許 4825181 | 薄膜トランジスタの作製方法 | 2011年11月30日 | |
| 特許 4827305 | 半導体装置の作製方法 | 2011年11月30日 | |
| 特許 4827396 | 半導体装置の作製方法 | 2011年11月30日 | |
| 特許 4827290 | 薄膜形成装置 | 2011年11月30日 |
658 件中 46-60 件を表示
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4831889 4831892 4832185 4831895 4832566 4831885 4831874 4827466 4824521 4827324 4827325 4825181 4827305 4827396 4827290
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