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株式会社半導体エネルギー研究所
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第31位 1093件
（
2013年：第34位 1161件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第32位 1102件
（2013年：第34位 975件）
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株式会社半導体エネルギー研究所の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
特許
5501157
|
半導体装置の作製方法 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5500833
|
ＳＯＩ基板の作製方法 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5500803
|
薄膜トランジスタの作製方法 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5500798
|
ＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5500793
|
半導体装置の製造方法 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5500781
|
ＳＯＩ基板の製造方法 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5500771
|
半導体装置及びマイクロプロセッサ | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5499120
|
発光装置および電子機器 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5499073
|
発光素子、発光装置、照明装置および電子機器 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5498876
|
半導体装置の作製方法 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5498755
|
半導体装置 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5498711
|
薄膜トランジスタ | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5498689
|
薄膜トランジスタ、及び表示装置 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5498687
|
薄膜トランジスタの作製方法及び表示装置の作製方法 | 2014年 5月21日 | |
| 特許
5498659
|
レーザ照射位置安定性評価方法及びレーザ照射装置 | 2014年 5月21日 |
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5501157 5500833 5500803 5500798 5500793 5500781 5500771 5499120 5499073 5498876 5498755 5498711 5498689 5498687 5498659
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