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株式会社半導体エネルギー研究所
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第34位 1161件
（
2012年：第31位 1203件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第34位 975件
（
2012年：第40位 784件）
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株式会社半導体エネルギー研究所の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5367330 | ＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法 | 2013年12月11日 | |
| 特許 5364249 | ヒューズ素子、半導体装置、及び装置の作製方法 | 2013年12月11日 | |
| 特許 5364422 | 発光装置及びその作製方法 | 2013年12月11日 | |
| 特許 5364678 | エレクトロルミネッセンス表示装置 | 2013年12月11日 | |
| 特許 5364775 | 半導体装置 | 2013年12月11日 | |
| 特許 5364227 | 読み取り機能付き表示装置及びそれを用いた電子機器 | 2013年12月11日 | |
| 特許 5358644 | アントラセン誘導体及びそれを用いた発光素子 | 2013年12月 4日 | |
| 特許 5358174 | 発光素子、発光装置および電子機器 | 2013年12月 4日 | |
| 特許 5357493 | 半導体装置の作製方法 | 2013年12月 4日 | |
| 特許 5361176 | 半導体装置 | 2013年12月 4日 | |
| 特許 5361690 | 成膜用基板 | 2013年12月 4日 | |
| 特許 5358727 | 半導体装置 | 2013年12月 4日 | |
| 特許 5358647 | 発光素子および照明機器 | 2013年12月 4日 | |
| 特許 5356622 | グラフェン、電極、及び蓄電装置 | 2013年12月 4日 | |
| 特許 5358159 | 半導体薄膜層を有する基板の製造方法 | 2013年12月 4日 |
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5367330 5364249 5364422 5364678 5364775 5364227 5358644 5358174 5357493 5361176 5361690 5358727 5358647 5356622 5358159
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