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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第103位 471件
(2012年:第109位 428件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第47位 767件
(2012年:第43位 768件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2013-525933 | テープ・ドライブのためのデータ及びヘッダの保護を統合する方法、装置、及びプログラム | 2013年 6月20日 | |
特開 2013-123077 | フィンFETデバイスの構造およびその製造方法 | 2013年 6月20日 | |
特開 2013-123066 | 横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体 | 2013年 6月20日 | |
特表 2013-524511 | 強誘電性電界効果トランジスタデバイス | 2013年 6月17日 | 共同出願 |
特表 2013-523403 | レーザ・アブレーションにより組織を変化させるもしくは平滑化するまたはその両方を行うシステムおよび方法 | 2013年 6月17日 | |
特表 2013-524609 | ソリッド・ステート・ストレージ・デバイスのsレベル・ストレージに入力データを記録するための方法、エンコーダ装置、およびソリッド・ステート・ストレージ・デバイス | 2013年 6月17日 | |
特表 2013-524340 | 仮想コンテナのシステムにおけるリソース容量評価のための方法および装置 | 2013年 6月17日 | |
特表 2013-524306 | コンピュータ・システム内でタスクを開始するためのコンピュータ実装方法、システム及びコンピュータ・プログラム | 2013年 6月17日 | |
特表 2013-524277 | 双一次形式に関する効率的な準同形暗号方式のためのコンピュータ読み取り可能記憶媒体および装置 | 2013年 6月17日 | |
特表 2013-524394 | 少なくとも1つのマルチレベル相変化メモリ(PCM)セルをプログラミングするための方法、コンピュータ・プログラム、および装置 | 2013年 6月17日 | |
特表 2013-524529 | 電界効果トランジスタを形成するための方法および電界効果トランジスタ・デバイス | 2013年 6月17日 | |
特表 2013-524487 | 電界効果トランジスタ(FET)およびそれを形成する方法 | 2013年 6月17日 | |
特表 2013-524486 | 半導体チップの多チップ・アセンブリを形成する方法 | 2013年 6月17日 | |
特開 2013-117797 | 表示装置、表示方法、およびプログラム | 2013年 6月13日 | |
特開 2013-118494 | パルス幅調整回路および方法 | 2013年 6月13日 |
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2013-525933 2013-123077 2013-123066 2013-524511 2013-523403 2013-524609 2013-524340 2013-524306 2013-524277 2013-524394 2013-524529 2013-524487 2013-524486 2013-117797 2013-118494
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2月27日(木) -
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