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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第664位 50件
(2010年:第701位 53件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第622位 49件
(2010年:第698位 35件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 4689508 | 一酸化炭素メタネーション用触媒および該触媒を用いた一酸化炭素のメタネーション方法 | 2011年 5月25日 | |
特許 4685668 | 炭化水素流動接触分解用触媒組成物およびその製造方法 | 2011年 5月18日 | |
特許 4681822 | 低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法および該方法より得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜 | 2011年 5月11日 | |
特許 4679716 | 金属コロイド溶液の製造方法 | 2011年 4月27日 | |
特許 4657645 | 水性ガスシフト反応触媒および該触媒の製造方法。 | 2011年 3月23日 | |
特許 4657098 | 酸化アンチモンゾルの製造方法 | 2011年 3月23日 | |
特許 4646377 | 排ガス浄化用触媒および排ガス浄化方法 | 2011年 3月 9日 | |
特許 4649281 | 硝酸性窒素含有水の処理方法 | 2011年 3月 9日 | |
特許 4642165 | 多孔質シリカ系被膜形成用塗布液、被膜付基材および短繊維状シリカ | 2011年 3月 2日 | |
特許 4636869 | 多孔質シリカ系粒子の製造方法および該方法から得られる多孔質シリカ系粒子 | 2011年 2月23日 | |
特許 4636639 | フォトニック結晶の製造方法 | 2011年 2月23日 | 共同出願 |
特許 4624610 | 水素化処理触媒の製造方法 | 2011年 2月 2日 | |
特許 4624512 | 光電気セルおよび該光電気セルの半導体膜形成用塗布液 | 2011年 2月 2日 | |
特許 4618998 | 改質シリカ系ゾルおよび該改質シリカ系ゾルの製造方法 | 2011年 1月26日 | |
特許 4618974 | 研磨用粒子、該研磨用粒子の製造方法および研磨材 | 2011年 1月26日 |
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4689508 4685668 4681822 4679716 4657645 4657098 4646377 4649281 4642165 4636869 4636639 4624610 4624512 4618998 4618974
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