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エスケーハイニックス株式会社
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第744位 42件
（
2011年： 0件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第199位 196件
（2011年： 0件）
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エスケーハイニックス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5000847 | 半導体素子のセルチャンネルイオン注入方法 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 4999289 | 非対称リセスされたゲートを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 | 2012年 8月15日 | |
| 特許 4997371 | マスクパターン形成方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4996149 | 半導体メモリ装置 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4993912 | 半導体メモリ素子及び半導体メモリ素子のビットライン感知増幅器の駆動方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992149 | モス構造のアンチヒューズを利用したメモリリペア回路 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992020 | ディレイロックループ及びそのクロック生成方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992014 | フラッシュメモリ素子のページバッファ及びそのプログラム動作制御方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4997413 | 半導体素子の製造方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4993248 | リセスチャネル及び非対称接合構造を有する半導体素子の製造方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992150 | 半導体素子のゲート電極形成方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992018 | 半導体メモリ素子のトランジスタの製造方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992012 | フラッシュメモリ素子の製造方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992011 | 半導体素子のトランジスタの製造方法 | 2012年 8月 8日 | |
| 特許 4992005 | 電圧供給装置及び方法 | 2012年 8月 8日 |
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5000847 4999289 4997371 4996149 4993912 4992149 4992020 4992014 4997413 4993248 4992150 4992018 4992012 4992011 4992005
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