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エスケーハイニックス株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第626位 57件
（
2012年：第744位 42件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第476位 74件
（
2012年：第199位 196件）
（ランキング更新日：2025年2月7日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エスケーハイニックス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5147464 | アドレス置換回路及びそれを含む半導体記憶装置 | 2013年 2月20日 | |
| 特許 5147436 | 半導体記憶装置 | 2013年 2月20日 | |
| 特許 5143356 | 二重露光技術を用いた二重露光方法及びこの二重露光方法のためのフォトマスク | 2013年 2月13日 | |
| 特許 5143381 | 半導体素子及びその製造方法 | 2013年 2月13日 | |
| 特許 5142504 | 内部電圧発生回路 | 2013年 2月13日 | |
| 特許 5144882 | 半導体メモリ素子 | 2013年 2月13日 | |
| 特許 5137415 | 半導体素子のリセスチャネル形成方法 | 2013年 2月 6日 | |
| 特許 5137369 | 半導体メモリ装置 | 2013年 2月 6日 | |
| 特許 5140314 | ウエハレベルパッケージ | 2013年 2月 6日 | |
| 特許 5137333 | イオン注入用マスクパターンの形成方法及び半導体素子の製造方法 | 2013年 2月 6日 | |
| 特許 5130269 | 非常に短いゲート形状を有するトランジスタとメモリセルの製造方法 | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5131797 | シリコン窒化膜のストレスを防止及び緩衝できるパッド構造を備えた半導体装置 | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5131804 | フラッシュメモリ素子の製造方法 | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5134307 | 貫通シリコンビアチップスタックパッケージ | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5132268 | ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のデータ消去方法 | 2013年 1月30日 |
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5147464 5147436 5143356 5143381 5142504 5144882 5137415 5137369 5140314 5137333 5130269 5131797 5131804 5134307 5132268
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2月14日(金) - 東京 千代田区
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