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エスケーハイニックス株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第626位 57件
（
2012年：第744位 42件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第476位 74件
（
2012年：第199位 196件）
（ランキング更新日：2025年2月7日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エスケーハイニックス株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5130269 | 非常に短いゲート形状を有するトランジスタとメモリセルの製造方法 | 2013年 1月30日 | |
| 特許 5124209 | 半導体集積回路のＤＢＩ信号生成装置および方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5124136 | 半導体記憶装置のアドレスバッファ及びアドレスバッファリング方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5123336 | パイプラッチ回路を有するメモリ素子のデータ伝達方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5127213 | スタック型半導体パッケージ | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5127137 | 半導体素子の製造方法 | 2013年 1月23日 | |
| 特許 5122744 | フラッシュメモリ素子の製造方法 | 2013年 1月16日 | |
| 特許 5122422 | 半導体素子の製造方法 | 2013年 1月16日 | |
| 特許 5121131 | 半導体素子の製造方法 | 2013年 1月16日 | |
| 特許 5118942 | スルーシリコンビアスタックパッケージ及びその製造方法 | 2013年 1月16日 | |
| 特許 5113347 | 半導体素子の製造方法 | 2013年 1月 9日 | |
| 特許 5116069 | フラッシュメモリ素子の製造方法 | 2013年 1月 9日 | |
| 特許 5115913 | 半導体メモリ素子のメインローデコーダ | 2013年 1月 9日 | |
| 特許 5116970 | 内部電源の生成装置 | 2013年 1月 9日 |
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5130269 5124209 5124136 5123336 5127213 5127137 5122744 5122422 5121131 5118942 5113347 5116069 5115913 5116970
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＜エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け＞ 基礎から学ぶ／自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 ＜東京会場受講（対面）／Zoomオンライン受講 選択可＞ ＜見逃し視聴選択可＞
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