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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第232位 185件 (2010年:第248位 198件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第199位 181件 (2010年:第174位 190件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2011-198832 | 半導体基板熱処理装置および半導体基板熱処理装置による温度計測方法 | 2011年10月 6日 | |
特開 2011-194546 | 超音波加工装置 | 2011年10月 6日 | |
特開 2011-192768 | 原子層堆積装置及び原子層堆積方法 | 2011年 9月29日 | |
特開 2011-187802 | 薄膜形成装置 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-187463 | 薄膜形成装置 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-187636 | 半導体基板熱処理装置および半導体基板熱処理装置による温度推定方法 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-181217 | 誘導加熱方法および誘導加熱装置 | 2011年 9月15日 | |
特開 2011-179096 | 薄膜形成装置 | 2011年 9月15日 | |
特開 2011-181681 | 原子層堆積方法及び原子層堆積装置 | 2011年 9月15日 | |
特開 2011-181832 | 薄膜形成装置 | 2011年 9月15日 | |
特開 2011-181526 | 二次電池用正極材料、その製造方法、および二次電池 | 2011年 9月15日 | 共同出願 |
特開 2011-174798 | スペクトラム分析装置及びスペクトラム分析方法 | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-174791 | 蛍光検査装置及び蛍光検査方法 | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-174128 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-171361 | 原子層堆積装置及び原子層堆積方法 | 2011年 9月 1日 |
185 件中 76-90 件を表示
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2011-198832 2011-194546 2011-192768 2011-187802 2011-187463 2011-187636 2011-181217 2011-179096 2011-181681 2011-181832 2011-181526 2011-174798 2011-174791 2011-174128 2011-171361
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11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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