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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第872位 36件
(2012年:第483位 77件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第1013位 28件
(2012年:第557位 60件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2013-89621 | 窒化物半導体エピタキシャル基板 | 2013年 5月13日 | |
特開 2013-80776 | 窒化物半導体基板 | 2013年 5月 2日 | |
特開 2013-79155 | 耐プラズマ性部材 | 2013年 5月 2日 | |
特開 2013-75770 | 炭化珪素接合体およびその製造方法 | 2013年 4月25日 | |
特開 2013-77508 | 面状ヒータ | 2013年 4月25日 | |
特開 2013-76142 | 耐食性部材及びその製造方法 | 2013年 4月25日 | |
特開 2013-56999 | セラミックス複合体 | 2013年 3月28日 | |
特開 2013-56781 | シリコン鋳造用鋳型 | 2013年 3月28日 | |
特開 2013-56782 | シリコン鋳造用鋳型及びその製造方法 | 2013年 3月28日 | |
特開 2013-45978 | 固体撮像素子用半導体基板及びそれを用いた固体撮像素子の製造方法 | 2013年 3月 4日 | |
特開 2013-38157 | 化合物半導体基板 | 2013年 2月21日 | |
特開 2013-35727 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 | 2013年 2月21日 | |
特開 2013-33887 | 窒化物半導体基板の製造方法 | 2013年 2月14日 | |
特開 2013-30723 | シリコンウェーハの製造方法 | 2013年 2月 7日 | |
特開 2013-28476 | 単結晶引上方法 | 2013年 2月 7日 |
36 件中 16-30 件を表示
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2013-89621 2013-80776 2013-79155 2013-75770 2013-77508 2013-76142 2013-56999 2013-56781 2013-56782 2013-45978 2013-38157 2013-35727 2013-33887 2013-30723 2013-28476
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2月21日(金) - 東京 千代田区
2月21日(金) - 東京 大田
パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 -自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法- <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月21日(金) -
2月22日(土) - 東京 板橋区
2月21日(金) - 東京 千代田区
2月25日(火) -
2月25日(火) -
2月26日(水) -
2月26日(水) -
2月26日(水) - 東京 港区
2月26日(水) -
2月26日(水) - 千葉 船橋市
2月27日(木) -
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 千代田区
2月25日(火) -
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