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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第644位 50件 (2011年:第869位 34件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2012-518282 | 補強層を伴う半導体チップ | 2012年 8月 9日 | |
特表 2012-516557 | 歪誘起合金及び段階的なドーパントプロファイルを含むその場で形成されるドレイン及びソース領域 | 2012年 7月19日 | |
特表 2012-516555 | スレッショルド調節半導体合金を堆積させるのに先立ちパターニング不均一性を低減することによる前記半導体合金の厚みばらつきの低減 | 2012年 7月19日 | |
特表 2012-516483 | クラスファイル内にネイティブコードを埋め込むことによる仮想メカニズム内でのプラットフォーム依存ルーチンの適用 | 2012年 7月19日 | |
特表 2012-516556 | 減少させられたゲート電極ピッチを有する非対称トランジスタのための段階的なウエル注入 | 2012年 7月19日 | |
特表 2012-515992 | グラフィクスメモリの非グラフィクス使用 | 2012年 7月12日 | 共同出願 |
特表 2012-515995 | 各プロセッサに対して割り込み仮想化を支援するためのゲスト割り込み制御器 | 2012年 7月12日 | |
特表 2012-514429 | 差分モーションベクトルの進歩的な空間フィルタリングを伴う多重候補モーション推定 | 2012年 6月21日 | |
特表 2012-514317 | 段階的な形状の構造を有する埋め込み歪誘起材質を伴うトランジスタ | 2012年 6月21日 | |
特表 2012-514318 | チャネル半導体合金を備えたトランジスタにおける堆積不均一性の低減によるスレッショルド電圧ばらつきの低減 | 2012年 6月21日 | |
特表 2012-514319 | 特別に先細りされた遷移ビアを備えた半導体デバイスのメタライゼーションシステム | 2012年 6月21日 | |
特表 2012-512490 | 共有された命令ストリームを伴うコプロセッサユニット | 2012年 5月31日 | |
特表 2012-510712 | 同一の能動領域内に形成されるトランジスタにおいて能動領域内に局所的に埋め込み歪誘起半導体材質を設けることによる駆動電流調節 | 2012年 5月10日 | |
特表 2012-510742 | クロックデューティサイクル適合による半導体デバイスの性能の低下の補償 | 2012年 5月10日 | |
特表 2012-509645 | 多重キャリア変調受信機におけるチャネル推定及びピーク対平均電力比低減 | 2012年 4月19日 |
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2012-518282 2012-516557 2012-516555 2012-516483 2012-516556 2012-515992 2012-515995 2012-514429 2012-514317 2012-514318 2012-514319 2012-512490 2012-510712 2012-510742 2012-509645
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