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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第644位 50件 (2011年:第869位 34件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第720位 44件 (2011年:第524位 61件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2012-509645 | 多重キャリア変調受信機におけるチャネル推定及びピーク対平均電力比低減 | 2012年 4月19日 | |
特表 2012-508485 | GPU加速を伴うソフトウエアビデオトランスコーダ | 2012年 4月 5日 | |
特表 2012-507162 | トランジスタにおいて進歩したシリサイド形成と組み合わされる凹型のドレイン及びソース区域 | 2012年 3月22日 | |
特表 2012-507163 | 金属ピラーのための低減された応力構造を含む半導体デバイス | 2012年 3月22日 | |
特表 2012-506642 | 傾斜型の光学的特性を有するBARCを用いるフォトリソグラフィを実行するための方法 | 2012年 3月15日 | |
特表 2012-505547 | ファセットされたシリサイドコンタクトを有する半導体デバイス及び関連する製造方法 | 2012年 3月 1日 | |
特表 2012-504918 | 分散型オーディオ及びビデオ処理 | 2012年 2月23日 | |
特表 2012-504835 | 多重プロセッサアーキテクチャ及び方法 | 2012年 2月23日 | 共同出願 |
特表 2012-504326 | 基板全域にわたって高められた均一性を有する埋め込みSi/Ge材質を伴うトランジスタ | 2012年 2月16日 | |
特表 2012-504325 | ハードマスク及び二重露光により形成される半導体デバイスのコンタクト及びビア | 2012年 2月16日 | |
特表 2012-504322 | チップ内能動的熱伝達システムを備えた半導体デバイス | 2012年 2月16日 | |
特表 2012-504345 | 高応力下にあるチャネルを有するMOSデバイスを製造するための方法 | 2012年 2月16日 | |
特表 2012-504327 | チャネル領域への減少させられたオフセットを有する埋め込みSi/Ge材質を伴うトランジスタ | 2012年 2月16日 | |
特表 2012-502367 | 疎及び密予測を伴うハイブリッド分岐予測デバイス | 2012年 1月26日 | |
特表 2012-501542 | 分離溝ライナを有する半導体デバイス、及び関連する製造方法 | 2012年 1月19日 |
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2012-509645 2012-508485 2012-507162 2012-507163 2012-506642 2012-505547 2012-504918 2012-504835 2012-504326 2012-504325 2012-504322 2012-504345 2012-504327 2012-502367 2012-501542
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