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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第520位 74件
(2012年:第644位 50件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第797位 39件
(2012年:第720位 44件)
(ランキング更新日:2025年7月3日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5269074 | リソグラフィ露光装置用の炭化水素ゲッター | 2013年 8月21日 | |
特許 5266319 | 狭間隔のラインを含む構造の上に信頼性の高い層間絶縁材料を形成するための技術 | 2013年 8月21日 | |
特許 5270093 | ダマシンプロセスにより形成されるトライゲートFinFET | 2013年 8月21日 | |
特許 5265872 | 集積回路技術における低応力の側壁スペーサ | 2013年 8月14日 | |
特許 5255701 | 疎及び密予測を伴うハイブリッド分岐予測デバイス | 2013年 8月 7日 | |
特許 5244793 | 位置合せおよびフィーチャの成形に対してフレキシビリティが向上したナノインプリント技術 | 2013年 7月24日 | |
特許 5244908 | ドレインおよびソース領域にリセスを形成することによってトランジスタの接合容量を低減する方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5230887 | クロックフォワードシステムI/Oのための効率的なクロック開始および停止装置 | 2013年 7月10日 | |
特許 5231393 | 多電圧チップのためのパワーOKの伝達 | 2013年 7月10日 | |
特許 5227799 | ゲート酸化物の漏れを抑えたリプレースメントゲートトランジスタ | 2013年 7月 3日 | |
特許 5214091 | 測定で求めた電気的特性に基づいて製造プロセスを制御するための方法および装置 | 2013年 6月19日 | |
特許 5214620 | 応力印加チャネル領域を有する電界効果トランジスタを備えた半導体構造の形成方法 | 2013年 6月19日 | |
特許 5214092 | 触媒を用いた無電解めっきによりパターン化された絶縁体上に金属層を形成する方法 | 2013年 6月19日 | |
特許 5204645 | 強化した応力伝送効率でコンタクト絶縁層を形成する技術 | 2013年 6月 5日 | |
特許 5204762 | ボディポテンシャルが低減したSOIトランジスタの製造方法 | 2013年 6月 5日 |
39 件中 16-30 件を表示
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5269074 5266319 5270093 5265872 5255701 5244793 5244908 5230887 5231393 5227799 5214091 5214620 5214092 5204645 5204762
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