ホーム > 特許ランキング > 独立行政法人物質・材料研究機構 > 2012年 > 特許一覧
※ ログインすれば出願人(独立行政法人物質・材料研究機構)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2012年 出願公開件数ランキング 第377位 110件
(2011年:第362位 108件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第197位 199件
(2011年:第213位 168件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4894180 | シリカ膜で被覆されたGaとZnSとの接合を有するナノワイヤー及びその製造方法 | 2012年 3月14日 | |
特許 4894641 | 熱電変換材料 | 2012年 3月14日 | |
特許 4894214 | 高効率レーザー発振装置 | 2012年 3月14日 | |
特許 4894048 | 蛍光体とその製造方法 | 2012年 3月 7日 | |
特許 4888624 | α型サイアロン粉末の製造方法 | 2012年 2月29日 | 共同出願 |
特許 4886233 | エブセレンの可溶化方法 | 2012年 2月29日 | |
特許 4883498 | マイクロパターン構造を持つナノ・マイクロファイバー不織布とその製造方法 | 2012年 2月22日 | |
特許 4883505 | 強磁場磁石装置 | 2012年 2月22日 | |
特許 4878511 | MX型炭窒化物析出強化型耐熱鋼 | 2012年 2月15日 | |
特許 4873588 | レーザ溶接方法 | 2012年 2月 8日 | 共同出願 |
特許 4873751 | 二酸化炭素除去剤とその再生方法 | 2012年 2月 8日 | |
特許 4873681 | デュアルマグネトロンスパッタリング装置及び薄膜体製造方法 | 2012年 2月 8日 | |
特許 4873680 | 立方体状マグネシア粉末の製造法 | 2012年 2月 8日 | |
特許 4873726 | 酸化亜鉛薄膜の形成方法 | 2012年 2月 8日 | |
特許 4873705 | 窒化インジウム(InN)あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム(InGaN)エピタキシャル薄膜の形成方法 | 2012年 2月 8日 |
199 件中 166-180 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
4894180 4894641 4894214 4894048 4888624 4886233 4883498 4883505 4878511 4873588 4873751 4873681 4873680 4873726 4873705
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。独立行政法人物質・材料研究機構の知財の動向チェックに便利です。
5月30日(金) -
5月30日(金) -
5月30日(金) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
神奈川県横浜市港北区日吉本町1-4-5パレスMR201号 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒460-0008 愛知県名古屋市中区栄一丁目23番29号 伏見ポイントビル3F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 鑑定 コンサルティング
〒564-0051 大阪府吹田市豊津町1番18号 エクラート江坂ビル4F 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標