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独立行政法人物質・材料研究機構
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第377位 110件
（
2011年：第362位 108件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第197位 199件
（
2011年：第213位 168件）
（ランキング更新日：2025年5月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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独立行政法人物質・材料研究機構の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4873726 | 酸化亜鉛薄膜の形成方法 | 2012年 2月 8日 | |
| 特許 4873705 | 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 | 2012年 2月 8日 | |
| 特許 4873679 | マグネトロンスパッタリング陰極の磁束配置切替方法 | 2012年 2月 8日 | |
| 特許 4866981 | 擬似位相整合水晶の製造方法及び擬似位相整合水晶 | 2012年 2月 1日 | |
| 特許 4859472 | プラズマプロセス装置 | 2012年 1月25日 | 共同出願 |
| 特許 4863433 | 魚鱗由来コラーゲンの取得方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4859217 | 金属酸化物触媒 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4863487 | ウォームスプレー法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4863461 | 六方晶窒化ホウ素結晶体を製造する方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4863429 | 極短フラーレンナノウィスカーとその製造方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4859165 | 高臨界電流特性を有する超伝導材料及びその製造方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4859173 | 遠紫外高輝度発光する高純度六方晶窒化ホウ素単結晶粉末とその製造方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4859171 | Ｔｉ−Ｎｉ−Ｃｕ三元系形状記憶合金とその製造法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4863494 | 微細構造観察用試料の作製方法 | 2012年 1月25日 | |
| 特許 4863473 | 押し込み曲線の作成方法および硬さ試験方法 | 2012年 1月25日 |
199 件中 181-195 件を表示
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4873726 4873705 4873679 4866981 4859472 4863433 4859217 4863487 4863461 4863429 4859165 4859173 4859171 4863494 4863473
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