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サンライズ メモリー コーポレイション
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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第2007位 11件
（
2021年：第7646位 2件）
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第2778位 6件
（2021年：第9350位 1件）
（ランキング更新日：2025年5月12日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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サンライズ メモリー コーポレイションの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2022-172352 | ３次元垂直ＮＯＲフラッシュ薄膜トランジスタストリング | 2022年11月15日 | |
| 特開 2022-163107 | ３次元垂直ＮＯＲフラッシュ薄膜トランジスタストリング | 2022年10月25日 | |
| 特開 2022-123017 | ３次元アレイにおける容量結合型不揮発性薄膜トランジスタストリング | 2022年 8月23日 | |
| 特開 2022-106934 | 超微細ピッチを有する３次元ＮＯＲ型メモリアレイ：デバイスと方法 | 2022年 7月20日 | |
| 特表 2022-532474 | ３次元水平ＮＯＲ型メモリアレイの製造方法 | 2022年 7月15日 | |
| 特開 2022-105153 | 積層水平アクティブストリップに配置され、垂直制御ゲートを有するマルチゲートＮＯＲフラッシュ薄膜トランジスタストリング | 2022年 7月12日 | |
| 特表 2022-519537 | 垂直型薄膜トランジスタ、及び、垂直型薄膜トランジスタの、３次元メモリアレイのためのビット線コネクタとしての応用メモリ回路方法 | 2022年 3月24日 | |
| 特表 2022-519023 | 基板接合を用いた高帯域幅・大容量メモリ組み込み型電子デバイス | 2022年 3月18日 | |
| 特表 2022-510370 | 多層水平ＮＯＲ型薄膜メモリストリングの形成方法 | 2022年 1月26日 | |
| 特表 2022-502850 | ３次元ＮＯＲメモリ回路の作製における基板接合 | 2022年 1月11日 | |
| 特表 2022-501820 | ３次元メモリデバイスの複数の水平導体層を電気的に接続するための階段状構造 | 2022年 1月 6日 |
11 件中 1-11 件を表示
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2022-172352 2022-163107 2022-123017 2022-106934 2022-532474 2022-105153 2022-519537 2022-519023 2022-510370 2022-502850 2022-501820
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