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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第201位 184件
(2021年:第1420位 17件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第623位 41件
(2021年:第2482位 6件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7197719 | 半導体デバイス及び方法 | 2022年12月27日 | |
特許 7194813 | 三次元メモリデバイス、三次元メモリデバイスを作製するための方法及びメモリセルストリング | 2022年12月22日 | |
特許 7192121 | 3次元メモリデバイスにおける階段構造の形成 | 2022年12月19日 | |
特許 7190564 | 裏面基板薄化を使用して形成された半導体プラグを有する三次元メモリデバイス及びそれを形成するための方法 | 2022年12月15日 | |
特許 7190575 | ダミーパターンを設計するためのシステムおよび方法、並びに非一時的コンピュータ可読媒体 | 2022年12月15日 | |
特許 7190584 | 三次元メモリデバイス及びそれを形成するための方法 | 2022年12月15日 | |
特許 7186892 | マルチプレーンメモリデバイスをプログラミングする方法 | 2022年12月 9日 | |
特許 7181406 | 新規性のあるキャパシタ構造およびそれを形成する方法 | 2022年11月30日 | |
特許 7181407 | 垂直拡散板を有するキャパシタ構造 | 2022年11月30日 | |
特許 7181419 | 不揮発性メモリデバイスおよび制御方法 | 2022年11月30日 | |
特許 7180015 | プログラミング動作を実行する方法および関連するメモリデバイス | 2022年11月29日 | |
特許 7178496 | 垂直拡散プレートを有するコンデンサ構造 | 2022年11月25日 | |
特許 7177291 | 三次元メモリのためのセル電流測定 | 2022年11月22日 | |
特許 7176131 | 粒子線の垂直性を較正するための方法および半導体製造プロセスに適用されるシステム | 2022年11月21日 | |
特許 7171945 | メモリデバイスにおけるデータ消去の方法および装置 | 2022年11月15日 |
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7197719 7194813 7192121 7190564 7190575 7190584 7186892 7181406 7181407 7181419 7180015 7178496 7177291 7176131 7171945
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