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力晶科技股▲ふん▼有限公司
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第2121位 11件
（
2016年：第1441位 17件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第1518位 12件
（
2016年：第1730位 11件）
（ランキング更新日：2024年9月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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力晶科技股▲ふん▼有限公司の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6251793 | 半導体記憶装置 | 2017年12月20日 | |
| 特許 6215398 | スイッチドキャパシタ回路及びＡＤ変換装置 | 2017年10月18日 | |
| 特許 6166810 | 半導体記憶装置 | 2017年 7月19日 | |
| 特許 6132860 | トランジスタテスト回路及び方法、半導体記憶装置、並びに半導体装置 | 2017年 5月24日 | |
| 特許 6133911 | 炉内プロセスのディスパッチ制御方法 | 2017年 5月24日 | |
| 特許 6131290 | フラッシュメモリ構造、及びフラッシュメモリ構造を製造する方法 | 2017年 5月17日 | |
| 特許 6131357 | 半導体記憶装置とそのアドレス制御方法 | 2017年 5月17日 | |
| 特許 6114796 | 不揮発性記憶装置のためのセンス回路及び不揮発性記憶装置 | 2017年 4月12日 | |
| 特許 6097775 | 半導体記憶装置及び半導体集積回路装置 | 2017年 3月15日 | |
| 特許 6097797 | 半導体装置、テスタ装置及びテスタシステム | 2017年 3月15日 | |
| 特許 6084318 | 揮発性半導体記憶装置のリフレッシュ制御回路及び方法、並びに揮発性半導体記憶装置 | 2017年 2月22日 | |
| 特許 6069544 | ラッチ回路及び半導体記憶装置 | 2017年 2月 1日 |
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6251793 6215398 6166810 6132860 6133911 6131290 6131357 6114796 6097775 6097797 6084318 6069544
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