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ソウルブレイン シーオー．， エルティーディー
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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第2216位 9件
（
2023年：第3738位 5件）
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第10406位 1件
（
2023年：第4609位 3件）
（ランキング更新日：2025年2月5日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ソウルブレイン シーオー．， エルティーディーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2024-546040 | 高誘電率薄膜用マスキング剤、それを利用した選択領域蒸着方法、それから製造された半導体基板及び半導体素子 | 2024年12月17日 | |
| 特表 2024-540610 | 膜質改善剤、それを利用した薄膜形成方法、それから製造された半導体基板及び半導体素子 | 2024年10月31日 | |
| 特表 2024-534358 | 膜質改善剤、それを用いた薄膜形成方法、及びそれから製造された半導体基板 | 2024年 9月20日 | |
| 特表 2024-521247 | 透明なニッケル錯化合物インキ組成物及びその製造方法 | 2024年 5月29日 | |
| 特表 2024-518597 | 成膜材料、成膜組成物、これらを用いた成膜方法及びこれから製造された半導体素子 | 2024年 5月 1日 | |
| 特表 2024-512848 | 酸化膜反応面制御剤、これを用いた酸化膜形成方法、これから製造された半導体基板及び半導体素子 | 2024年 3月21日 | |
| 特表 2024-508455 | 金属薄膜前駆体組成物、これを用いた薄膜形成方法、及びこれから製造された半導体基板 | 2024年 2月27日 | |
| 特表 2024-507836 | 補助前駆体、薄膜前駆体組成物、薄膜形成方法、及びこれから製造された半導体基板 | 2024年 2月21日 |
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2024-546040 2024-540610 2024-534358 2024-521247 2024-518597 2024-512848 2024-508455 2024-507836
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2月14日(金) - 東京 大田
＜エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け＞ 基礎から学ぶ／自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 ＜東京会場受講（対面）／Zoomオンライン受講 選択可＞ ＜見逃し視聴選択可＞
2月14日(金) - 東京 千代田区
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