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エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド
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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第1603位 11件
（
2025年：第1443位 15件）
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第3764位 3件
（2025年：第2586位 6件）
（ランキング更新日：2026年10月26日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エスピーティーエス テクノロジーズ リミティドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2026-152639 | ワークピース上に多層接着層を設ける方法 | 2026年 9月29日 | |
| 特開 2026-122023 | ワークピースをプラズマ処理する方法 | 2026年 7月27日 | |
| 特開 2026-116777 | プラズマエンハンスト化学蒸着を用いて形成されたシリコンオキシカーバイドを含む層における応力変動を制御する方法 | 2026年 7月13日 | |
| 特開 2026-116113 | プラズマダイシング方法 | 2026年 7月 9日 | |
| 特開 2026-101581 | プラズマエッチングによりＳｉＣの表面粗さを低減する方法 | 2026年 6月22日 | |
| 特開 2026-82619 | プラズマエッチング方法 | 2026年 5月19日 | |
| 特開 2026-81105 | プラズマエンハンスト化学蒸着の方法 | 2026年 5月18日 | |
| 特開 2026-57461 | 複数通りの角度でフィーチャをエッチングする装置及び方法 | 2026年 4月 2日 | |
| 特開 2026-47120 | 塩素系ガスと併せた水素の添加によるＡｌＳｃＮ－Ｍｏ選択性の向上 | 2026年 3月13日 | |
| 特開 2026-20038 | 半導体ウェハをプラズマダイシングする方法 | 2026年 2月 5日 | |
| 特開 2026-8619 | インサイチュー生成された基板を用いチャンバにスパッタエッチング貼付する方法 | 2026年 1月19日 |
11 件中 1-11 件を表示
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2026-152639 2026-122023 2026-116777 2026-116113 2026-101581 2026-82619 2026-81105 2026-57461 2026-47120 2026-20038 2026-8619
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