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エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド
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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第1443位 15件
（
2024年：第2708位 7件）
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第2586位 6件
（2024年：第10393位 1件）
（ランキング更新日：2026年11月2日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エスピーティーエス テクノロジーズ リミティドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2025-188276 | 化合物半導体ウェハにトレンチフィーチャをＩＣＰエッチングで作成する方法及び装置 | 2025年12月25日 | |
| 特開 2025-155744 | エッチング方法 | 2025年10月14日 | |
| 特開 2025-155754 | 基板をプラズマエッチングするための方法および装置 | 2025年10月14日 | |
| 特開 2025-110873 | ウェハ又はウェハアセンブリを運搬するためのエンドエフェクタ | 2025年 7月29日 | |
| 特開 2025-100297 | 半導体基板を処理する方法および装置 | 2025年 7月 3日 | |
| 特開 2025-100301 | ＰＶＤ装置及び方法 | 2025年 7月 3日 | |
| 特開 2025-98919 | 半導体ダイをパッケージングする方法 | 2025年 7月 2日 | |
| 特開 2025-92373 | 半導体基板を処理するための装置および方法 | 2025年 6月19日 | |
| 特開 2025-77962 | アンチスティクション層堆積 | 2025年 5月19日 | |
| 特開 2025-68570 | プラズマ処理装置を洗浄する方法 | 2025年 4月28日 | |
| 特開 2025-63334 | フィーチャーをプラズマエッチングする方法、それから形成された基板、及びプラズマエッチングのための装置 | 2025年 4月15日 | |
| 特開 2025-36039 | プラズマエッチングされた化合物半導体 | 2025年 3月14日 | |
| 特開 2025-21410 | ＰＥＣＶＤ方法及び装置 | 2025年 2月13日 | |
| 特開 2025-11016 | 基板処理システム | 2025年 1月23日 | |
| 特開 2025-9736 | プラズマエッチング方法及び装置 | 2025年 1月20日 |
15 件中 1-15 件を表示
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2025-188276 2025-155744 2025-155754 2025-110873 2025-100297 2025-100301 2025-98919 2025-92373 2025-77962 2025-68570 2025-63334 2025-36039 2025-21410 2025-11016 2025-9736
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