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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第643位 48件
(2020年:第506位 65件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第743位 29件
(2020年:第1115位 17件)
(ランキング更新日:2025年2月14日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6980795 | 燃焼のための酸素および燃料の予熱と組み合わせてプレ−リフォーマーを使用する強化された廃熱回収 | 2021年12月15日 | |
特許 6974468 | 低誘電率エッチングプロセスの間の側壁ダメージを最小化する方法 | 2021年12月 1日 | |
特許 6960400 | エッチング反応物質、およびそれを使用するプラズマフリーの酸化物エッチング方法 | 2021年11月 5日 | |
特許 6956086 | コバルト含有フィルム形成組成物、それらの合成およびフィルム析出における使用 | 2021年10月27日 | |
特許 6946478 | 合成ガスから高収率で水素を生産するプロセス及び既存ユニットの能力増強 | 2021年10月 6日 | |
特許 6941610 | マンガン含有フィルム形成組成物、マンガン含有フィルム形成組成物の合成およびフィルム析出における使用 | 2021年 9月29日 | |
特許 6941670 | 4族遷移金属含有膜の気相成長のための4族遷移金属含有膜形成用組成物 | 2021年 9月29日 | |
特許 6934521 | ジルコニウム、ハフニウム、チタン前駆体およびそれを使用する第4族含有膜の堆積 | 2021年 9月15日 | |
特許 6934524 | ジルコニウム、ハフニウム、チタン前駆体およびそれを用いた4族含有膜の堆積 | 2021年 9月15日 | |
特許 6920556 | チタン含有膜の気相成長のためのチタン含有膜形成用組成物 | 2021年 8月18日 | |
特許 6923511 | ガス分配設備の遠隔制御 | 2021年 8月18日 | |
特許 6906107 | 3D NAND及びDRAM応用のための−NH2官能基を含有するヒドロフルオロカーボン | 2021年 7月21日 | |
特許 6900230 | 純度の異なる窒素を製造するための窒素製造システムおよびその窒素製造方法 | 2021年 7月 7日 | |
特許 6900241 | ガス製造システム | 2021年 7月 7日 | |
特許 6896522 | エッチング方法およびプラズマエッチング用材料 | 2021年 6月30日 |
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6980795 6974468 6960400 6956086 6946478 6941610 6941670 6934521 6934524 6920556 6923511 6906107 6900230 6900241 6896522
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