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セントラル硝子株式会社

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 ■ 2026年 出願公開件数ランキング    第1948位 8件 (上昇2025年:第2221位 9件)

 ■ 2026年 特許取得件数ランキング    第819位 20件 (下降2025年:第711位 31件)

(ランキング更新日:2026年10月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2026-162050 含窒素環式化合物の製造方法 2026年10月 8日
特開 2026-135784 昇華性膜形成組成物、および基板の製造方法 2026年 8月25日
特開 2026-136418 非水ナトリウムイオン電池用電解液、非水ナトリウムイオン電池、及び非水ナトリウムイオン電池の製造方法 2026年 8月25日
特開 2026-130442 窒化モリブデン膜を有する基板及び該基板の製造方法 2026年 8月13日
特表 2026-523083 金属アノードの表面上のSEI保護層を有する蓄電池及びそれを製造するための方法 2026年 7月10日
特開 2026-90327 含フッ素樹脂、撥液剤、感光性樹脂組成物、硬化物およびディスプレイ 2026年 6月 2日
特開 2026-69749 感光性組成物、樹脂硬化膜の製造方法、隔壁、発光素子および表示装置 2026年 4月24日
特開 2026-53018 ハロゲン化アルカンスルホニル化合物の製造方法、及び、多重結合含有化合物の製造方法 2026年 3月25日
特開 2026-27439 アルキルアミン組成物及び該アルキルアミン組成物の保存方法 2026年 2月18日
特開 2026-17828 モノフルオロスルホニル化剤組成物、モノフルオロスルホニルオキシ化合物の製造方法、及び、新規化合物 2026年 2月 5日
特開 2026-16342 n型4H-SiC単結晶インゴット、n型4H-SiC単結晶ウエハ、n型4H-SiC単結晶インゴットの製造方法、及びn型4H-SiC単結晶ウエハの製造方法 2026年 2月 3日

11 件中 1-11 件を表示

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2026-162050 2026-135784 2026-136418 2026-130442 2026-523083 2026-90327 2026-69749 2026-53018 2026-27439 2026-17828 2026-16342

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