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サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド
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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第570位 41件
（
2025年：第1876位 11件）
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第535位 37件
（2025年：第844位 25件）
（ランキング更新日：2026年11月2日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2026-536071 | 高帯域幅不揮発性メモリデバイス | 2026年10月28日 | |
| 特表 2026-535928 | 高帯域幅不揮発性メモリ | 2026年10月27日 | |
| 特開 2026-162384 | プログラム対策に関するストリングゼロ／ワンの完全円形ドレイン側選択ゲート | 2026年10月 8日 | |
| 特開 2026-159410 | 検証動作及びスキャン動作を低減することによって性能及び電力を改善させるためのストップファインモードの拡張 | 2026年10月 7日 | |
| 特開 2026-159409 | プログラム検証動作のための柔軟なクロック割り当て | 2026年10月 7日 | |
| 特開 2026-159406 | 改善された読み出し閾値較正のための要求クラスタ化のためのデータ記憶デバイス及び方法 | 2026年10月 7日 | |
| 特開 2026-150474 | 障害及び誤り軽減を伴う多階層不揮発性メモリ | 2026年 9月28日 | |
| 特開 2026-136047 | 埋め戻されたビアを含むｍＤｉＰ半導体デバイス | 2026年 8月25日 | |
| 特開 2026-132340 | １．５パスプログラミングを有する不揮発性メモリ | 2026年 8月17日 | |
| 特開 2026-128963 | データ記憶デバイス及び分数ビットセルメモリにおけるビット誤り率の平均化方法 | 2026年 8月10日 | |
| 特開 2026-128962 | データ記憶デバイス及び分数ビットセルメモリにおける読み出し閾値の較正方法 | 2026年 8月10日 | |
| 特開 2026-126100 | 動的な検知時間に基づくビット誤り率（ＢＥＲ）均衡化のためのデータ記憶デバイス及び方法 | 2026年 8月 4日 | |
| 特開 2026-126099 | 可変読み出し分解能のための非均衡マッピングに向けたデータ記憶デバイス及び方法 | 2026年 8月 4日 | |
| 特開 2026-120468 | 不揮発性メモリダイにおける電気経路における容量結合の軽減 | 2026年 7月22日 | |
| 特開 2026-120073 | 微小亀裂の検出を容易にする保護層を有する半導体デバイス | 2026年 7月21日 |
41 件中 1-15 件を表示
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2026-536071 2026-535928 2026-162384 2026-159410 2026-159409 2026-159406 2026-150474 2026-136047 2026-132340 2026-128963 2026-128962 2026-126100 2026-126099 2026-120468 2026-120073
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