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出願人名に「サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特表 2013-532881 | 不揮発性メモリにおける自然閾値電圧分布の圧縮 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 8月19日 |
| 特表 2013-531331 | ビットライン電圧ステップアップを伴う不揮発性メモリのプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 8月 1日 |
| 特表 2013-530481 | 同期結合を伴う不揮発性記憶装置のプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 7月25日 |
| 特表 2013-530538 | ビットライン空隙及びワードライン空隙を備える不揮発性メモリ、および、対応する製造方法 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 7月25日 |
| 特表 2013-525938 | 不揮発性記憶素子の検出におけるチャネル結合効果の低減 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 6月20日 |
| 特表 2013-525935 | 他のメモリセルからの影響の緩和することを含む不揮発性記憶装置のプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 6月20日 |
| 特表 2013-524400 | メモリにおけるプログラムノイズ低減のための鋸形のマルチパルスプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 6月17日 |
| 特表 2013-520760 | 隣接状態情報に基づく温度補償がなされる不揮発性記憶装置 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 6月 6日 |
| 特表 2013-519237 | マルチダイパッケージ内でのルールベースの半導体ダイのスタッキングおよびボンディング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 5月23日 |
| 特表 2013-518359 | データ状態に固有の失敗の計数に基づく不揮発性メモリのデータ復旧 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 5月20日 |
| 特表 2013-514587 | 証明書失効リストを用いたコンテンツ管理方法 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 4月25日 |
| 特表 2013-514601 | 高速ビット検出及び検証スキップを有する不揮発性記憶のプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 4月25日 |
| 特表 2013-513871 | 自動的かつ制御可能なシステム動作 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 4月22日 |
| 特表 2013-512534 | 少ない検証動作回数での不揮発性メモリのプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 4月11日 |
| 特表 2013-512531 | ビットラインをフローティングさせてチャネル−フローティングゲート結合を低減するメモリプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 4月11日 |
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2013-532881 2013-531331 2013-530481 2013-530538 2013-525938 2013-525935 2013-524400 2013-520760 2013-519237 2013-518359 2013-514587 2013-514601 2013-513871 2013-512534 2013-512531
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