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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第1090位 25件
(2014年: 0件)
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第23268位 0件
(2014年: 0件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2015-231239 | A/D変換器における帯域幅不整合推定のための方法及び回路 | 2015年12月21日 | |
特開 2015-220457 | カルコゲナイド層の形成方法 | 2015年12月 7日 | |
特表 2015-530900 | 小型流体分析デバイスおよび製造方法 | 2015年10月29日 | |
特表 2015-529401 | シリコン太陽電池の製造方法 | 2015年10月 5日 | |
特表 2015-528645 | めっき金属層のシリコンへの接着の改良方法 | 2015年 9月28日 | |
特開 2015-164086 | データストレージセル及びメモリ構成 | 2015年 9月10日 | |
特開 2015-144246 | ナノ電気機械ベースのメモリ | 2015年 8月 6日 | |
特表 2015-521804 | 薄膜トランジスタの製造方法 | 2015年 7月30日 | |
特表 2015-519745 | 金属酸化物半導体層の電気伝導性を増加させる方法 | 2015年 7月 9日 | |
特開 2015-121787 | 集積フォトニックカプラ | 2015年 7月 2日 | |
特開 2015-107113 | デジタルPCRを実施するためのデバイスおよび方法 | 2015年 6月11日 | |
特開 2015-109438 | 半導体デバイスにおけるCMOS適合コンタクト層の製造方法 | 2015年 6月11日 | |
特表 2015-515747 | めっきされたコンタクトを有する太陽電池の製造方法 | 2015年 5月28日 | |
特開 2015-97264 | 非プレーナ型の電界効果トランジスタを製造する方法 | 2015年 5月21日 | |
特開 2015-97265 | III−V族材料の選択エリア成長用のエピ基板およびIII−V族材料をシリコン基板上に製造する方法 | 2015年 5月21日 |
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2015-231239 2015-220457 2015-530900 2015-529401 2015-528645 2015-164086 2015-144246 2015-521804 2015-519745 2015-121787 2015-107113 2015-109438 2015-515747 2015-97264 2015-97265
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5月16日(金) - 東京 千代田区
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5月21日(水) - 東京 大田区
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