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アイメック・ヴェーゼットウェー
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第1212位 24件
（
2016年：第1509位 16件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第4057位 3件
（2016年：第9250位 1件）
（ランキング更新日：2025年1月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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アイメック・ヴェーゼットウェーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2017-538970 | 光カプラ | 2017年12月28日 | |
| 特開 2017-228458 | 蓄電素子とその製造方法 | 2017年12月28日 | |
| 特開 2017-228519 | Ｎｉ（ＯＨ）２電極を有する薄膜固体電池を製造する方法、電池セルおよび電池 | 2017年12月28日 | |
| 特表 2017-538160 | デジタルホログラフィにおけるオートフォーカスシステムおよびオートフォーカス方法 | 2017年12月21日 | |
| 特開 2017-224817 | 光発電セルを電気的に接触させるためのハイブリッドな織り方 | 2017年12月21日 | |
| 特開 2017-224819 | 極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィの実行方法 | 2017年12月21日 | |
| 特開 2017-208532 | 完全自己整合デュアルゲート薄膜トランジスタを製造するための方法 | 2017年11月24日 | |
| 特開 2017-198676 | マルチ入力マルチ出力レーダシステムに関する改良 | 2017年11月 2日 | |
| 特開 2017-152071 | ３トランジスタ２接合ＭＲＡＭビットセル | 2017年 8月31日 | |
| 特表 2017-523023 | 三次元基板のコンフォーマルコーティング | 2017年 8月17日 | |
| 特開 2017-143242 | 細長いナノスケール構造の選択加熱方法 | 2017年 8月17日 | |
| 特開 2017-143247 | 組み込まれた磁気トンネル接合を有する半導体デバイス | 2017年 8月17日 | |
| 特開 2017-135095 | リチウムマンガン酸化物層を形成するための方法 | 2017年 8月 3日 | |
| 特表 2017-519896 | 気相の前駆体を用いて有機金属構造体薄膜を製造する方法 | 2017年 7月20日 | |
| 特開 2017-126736 | エンハンスメントモードＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴデバイスの製造方法およびそれにより製造されたＩＩＩ族窒化物構造 | 2017年 7月20日 |
26 件中 1-15 件を表示
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2017-538970 2017-228458 2017-228519 2017-538160 2017-224817 2017-224819 2017-208532 2017-198676 2017-152071 2017-523023 2017-143242 2017-143247 2017-135095 2017-519896 2017-126736
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