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出願人名に「旺宏電子股▲ふん▼有限公司」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
特許
5015420
|
プログラマブル消去不要メモリに対するプログラミング方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 8月29日 |
| 特許
5000845
|
プログラマブル消去不要メモリ | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 8月15日 |
| 特許
4945734
|
不揮発性メモリの消去方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 6月 6日 |
| 特許
4932134
|
集積回路の製造における位置合わせ精度条件を緩和する方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 5月16日 |
| 特許
4932140
|
トランジスタを用いないランダムアクセスメモリ | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 5月16日 |
| 特許
4878743
|
ＮＡＮＤ型不揮発性メモリセルの作動方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 2月15日 |
| 特許
4869623
|
電荷トラップ不揮発性メモリのための電荷均衡化を有する動作方式 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2012年 2月 8日 |
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5015420 5000845 4945734 4932134 4932140 4878743 4869623
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