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出願人名に「旺宏電子股▲ふん▼有限公司」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5367222 | 不揮発性メモリ素子の動作方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2013年12月11日 |
| 特許 5325913 | 不揮発性フラッシュメモリ | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2013年10月23日 |
| 特許 5294590 | トンネル障壁の上に電界分布層を有する電荷捕獲装置 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2013年 9月18日 |
| 特許 5281849 | 高κキャップ阻止誘電体‐バンドギャップ操作ＳＯＮＯＳ及びＭＯＮＯＳ | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2013年 9月 4日 |
| 特許 5270061 | プログラマブル消去不要メモリの製造方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2013年 8月21日 |
| 特許 5259918 | 反転ビット線、電荷をトラップする不揮発性メモリ、およびその動作方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2013年 8月 7日 |
| 特許 5188671 | メモリセルのしきい値電圧を調節する方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2013年 4月24日 |
| 特許 5165836 | メモリーデバイスを操作する方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2013年 3月21日 |
| 特許 5154841 | 不揮発性メモリデバイスの製造方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2013年 2月27日 |
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5367222 5325913 5294590 5281849 5270061 5259918 5188671 5165836 5154841
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