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| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 4711113 | CH3AlH2:Lの製造方法、Al系膜形成材料、Al系膜形成方法、及びAl系配線膜形成方法 | 株式会社トリケミカル研究所 | 2011年 6月29日 |
| 特許 4693970 | ゲート酸化膜形成方法 | 株式会社トリケミカル研究所 | 2011年 6月 1日 |
| 特許 4666339 | 導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法 | 株式会社トリケミカル研究所 | 2011年 4月 6日 |
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4711113 4693970 4666339
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