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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第1304位 22件
(2012年:第1780位 13件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第1098位 25件
(2012年:第842位 36件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2013-252297 | アクチュエータ | 2013年12月19日 | |
特開 2013-247810 | 振動アクチュエータ | 2013年12月 9日 | |
特開 2013-241316 | 酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板 | 2013年12月 5日 | |
特開 2013-237591 | 酸化ガリウム融液、酸化ガリウム単結晶、酸化ガリウム基板、および酸化ガリウム単結晶の製造方法 | 2013年11月28日 | |
特開 2013-227160 | 酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板 | 2013年11月 7日 | |
特開 2013-220958 | 微小空洞形成方法 | 2013年10月28日 | |
特開 2013-192354 | リニアアクチュエータ | 2013年 9月26日 | |
再表 2011-152333 | Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶とその製造方法及び光デバイス | 2013年 8月 1日 | |
再表 2011-135930 | 円筒コアレスモータ | 2013年 7月18日 | |
再表 2011-129246 | 単結晶基板、結晶性膜付き単結晶基板、結晶性膜、結晶性膜付き単結晶基板の製造方法、結晶性基板の製造方法、及び素子製造方法 | 2013年 7月18日 | |
再表 2011-118382 | チューブロータリポンプ | 2013年 7月 4日 | |
再表 2011-108706 | 単結晶基板、単結晶基板の製造方法、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法 | 2013年 6月27日 | 共同出願 |
再表 2011-108698 | エピタキシャル成長用内部改質基板、多層膜付き内部改質基板、半導体デバイス、半導体バルク基板およびそれらの製造方法 | 2013年 6月27日 | 共同出願 |
再表 2011-108710 | 結晶性膜、デバイス、及び、結晶性膜又はデバイスの製造方法 | 2013年 6月27日 | 共同出願 |
再表 2011-108703 | 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法 | 2013年 6月27日 | 共同出願 |
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2013-252297 2013-247810 2013-241316 2013-237591 2013-227160 2013-220958 2013-192354 2011-152333 2011-135930 2011-129246 2011-118382 2011-108706 2011-108698 2011-108710 2011-108703
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