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- 出願人詳細情報 -
出願人名に「日東光器株式会社」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特開 2014-49461 | ＧａＮ系結晶及び半導体素子の製造方法 | 日東光器株式会社 他 | 2014年 3月17日 |
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