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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第12799位 1件
(2016年:第33513位 0件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第24017位 0件
(2016年:第9250位 1件)
(ランキング更新日:2025年3月21日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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再表 2014-196471 | Si基板上に成長した閃亜鉛鉱型(立方晶とも言う。)AlyInxGa1−y−xN結晶(y≧0、x>0)からなる母結晶にナノドット(「量子ドット」とも言う。)を有する活性領域及びこれを用いた発光デバイス(LED及びLD) | 2017年 2月23日 |
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3月24日(月) -
3月25日(火) - 東京 品川区
3月25日(火) -
3月26日(水) - 東京 港区
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月26日(水) -
3月24日(月) -
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