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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第33468位 0件
(
2017年:第12799位 1件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第8638位 1件
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2017年:第24017位 0件)
(ランキング更新日:2025年12月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6298462 | Si基板上に成長した閃亜鉛鉱型(立方晶とも言う。)AlyInxGa1−y−xN結晶(y≧0、x>0)からなる母結晶にナノドット(「量子ドット」とも言う。)を有する活性領域及びこれを用いた発光デバイス(LED及びLD) | 2018年 3月20日 | |
| 特許 6261075 | 磁気力顕微鏡用探針の製造方法 | 2018年 1月17日 |
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6298462 6261075
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