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出願人名に「フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特開 2011-187939 | 酸化後のシリコントレンチ底部形状の構造及び形成方法 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2011年 9月22日 |
| 特表 2011-519167 | 集積低漏洩ショットキーダイオード | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2011年 6月30日 |
| 特開 2011-97090 | ドレインクリップを備えた半導体ダイパッケージ | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2011年 5月12日 |
| 特表 2011-513952 | 一体化薄膜インダクタを含むマイクロモジュール及びその製造方法 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2011年 4月28日 |
| 特開 2011-18924 | リードフレーム構造を含む半導体ダイパッケージ及びその製造方法 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2011年 1月27日 |
| 特表 2011-501414 | 効率的熱放散のための配線なし半導体パッケージ | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2011年 1月 6日 |
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2011-187939 2011-519167 2011-97090 2011-513952 2011-18924 2011-501414
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