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公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
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特表 2012-521654 | シリコンカーバイドバイポーラ接合トランジスタ | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2012年 9月13日 |
特開 2012-109580 | パワー半導体デバイスおよびその製造方法 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2012年 6月 7日 |
特表 2012-513120 | 基板ドレイン接続を有する横型MOSFET | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2012年 6月 7日 |
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2012-521654 2012-109580 2012-513120
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