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出願人名に「フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5363978 | 互いに接続されたシールド電極及びゲート電極を有するシールドゲートトレンチＦＥＴの構造及びこれを形成する方法 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2013年12月11日 |
| 特許 5362216 | 静電容量及びスイッチング損失が低減したショットキーダイオード構造及びその製造方法 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2013年12月11日 |
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5363978 5362216
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