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出願人名に「フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5107460 | 集積低漏洩ショットキーダイオード | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2012年12月26日 |
| 特許 5075823 | シールドゲート電界効果トランジスタにおけるインターポリ絶縁膜の構造および製造方法。 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2012年11月21日 |
| 特許 4999684 | 集積トランジスタモジュール及びその製造方法 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2012年 8月15日 |
| 特許 4903205 | フリップチップ・パッケージングされた半導体デバイス及び半導体ダイをパッケージングする方法 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2012年 3月28日 |
| 特許 4903055 | パワー半導体デバイスおよびその製造方法 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2012年 3月21日 |
| 特許 4850184 | 標準占有面積を含む半導体ダイパッケージ及びその製造方法 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 2012年 1月11日 |
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5107460 5075823 4999684 4903205 4903055 4850184
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