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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第2345位 9件
(2018年:第3054位 6件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第1904位 8件
(2018年:第23370位 0件)
(ランキング更新日:2025年3月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2019-532499 | 接合電界効果トランジスタと統合されたデバイスおよび該デバイスを製造するための方法 | 2019年11月 7日 | |
特表 2019-531598 | 接合電界効果トランジスタと統合されたデバイス、およびそれを製造するための方法 | 2019年10月31日 | |
特表 2019-531599 | VDMOS装置およびその製造方法 | 2019年10月31日 | |
特表 2019-530213 | デプレッションモード接合電界効果トランジスタと統合されたデバイスおよび該デバイスを製造するための方法 | 2019年10月17日 | |
特表 2019-526936 | VDMOS装置およびその製造方法 | 2019年 9月19日 | |
特表 2019-519116 | 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法 | 2019年 7月 4日 | |
特表 2019-517750 | MEMSマイクロホンおよびその準備方法 | 2019年 6月24日 | |
特表 2019-506010 | トレンチゲートのリードアウト構造およびそれを製造する方法 | 2019年 2月28日 | |
特表 2019-503084 | トレンチゲート構造およびそれを製造する方法 | 2019年 1月31日 |
9 件中 1-9 件を表示
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2019-532499 2019-531598 2019-531599 2019-530213 2019-526936 2019-519116 2019-517750 2019-506010 2019-503084
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